Технологическая карта: Технологическая карта по устройству искусственных оснований наружных сетей и малоэтажных зданий на насыпных грунтах

Терминология Технологическая карта: Технологическая карта по устройству искусственных оснований наружных сетей и малоэтажных зданий на насыпных грунтах:

4.9. II вариант устройства искусственного основания путем уплотнения насыпных грунтов тяжелой свободно падающей трамбовкой (Рис. 5) применяется при невысокой степени влажности грунта (S_r < 0,7), ограниченном содержании (до 0,1 по весу) в насыпных грунтах древесных и др. органических включений, недостаточной, указанной в п. 4.8., и неравномерном распределении по площади и глубине их плотности.

Уплотнение насыпных грунтов производят трамбовкой с диаметром основания (d_тр = 1,6 м вдоль траншеи (см. Рис. 2а) в зависимости от ее ширины в один (см. Рис. 5а) или 2 - 3 следа (см. Рис. 5б) с перекрытием следов. Уплотнение в один след применяют при минимально допустимой ширине уплотненной площади 1,6 м, а при большей ширине уплотнение на дне траншеи выполняют в 2 - 3 следа.

Необходимая ширина уплотненной площади должна быть на 0,2 м больше в каждую сторону ширины подготовки, а под колодцами не менее ширины основания колодца.

4.9.1. Основные технологические операции по реализации II варианта включают:

отрывку-планировку траншеи с недобором на 0,3 - 0,6 м выше проектной отметки подготовки;

поверхностное уплотнение насыпных грунтов трамбовкой до состояния «отказа»;

планировку дна траншеи срезкой верхнего разуплотненного слоя грунта или доуплотнение его ударами трамбовки, сбрасываемой с высоты 0,5 - 1,5 м, до отметки низа подготовки;

устройство песчаной подготовки - выравнивающего слоя по п. 4.8.

Определения термина из разных документов: II вариант

4.10. III вариант устройства искусственного основания путем замены некачественного насыпного грунта грунтовой подушкой (Рис. 6) из местного песчаного, пылевато-глинистого или песчано-глинистого грунта, а также экологически чистых отходов промышленных производств (например, шлаки, горелая земля и т.п.) применяется при:

повышенном (более 0,1) содержании в насыпном грунте древесных и др. органических и гниющих веществ;

водонасыщенном и переувлажненном состоянии (S_r ³ 0,7) насыпного пылевато-глинистого грунта, при котором невозможно его доуплотнение.

Замену некачественного грунта осуществляют путем полной его выборки (см. Рис. 6а) или, как правило, только на отдельных участках (см. Рис. 6б) в пределах всей площади и глубины их залегания.

В подушку допускается отсыпать непереувлажненные удаленные из траншеи песчаные насыпные грунты после очистки их от скоплений органических и др. гниющих и сильносжимаемых материалов.

Грунт в подушку рекомендуется отсыпать на высоту, превышающую проектную отметку на 0,15 - 0,20 от ее толщины.

Уплотнение грунта в подушке выполняют по аналогии с II вариантом.

4.10.1. Основные технологические операции по реализации III варианта включают:

отрывку траншеи на проектную глубину - верха грунтовой подушки;

выборку некачественного насыпного грунта на всю глубину его залегания;

замену некачественного грунта качественным путем его отсыпки на высоту, превышающую на 0,15 - 0,20 от толщины грунтовой подушки;

уплотнение грунта на дне траншеи трамбовкой до «отказа»;

планировку дна траншеи путем срезки верхнего разрыхленного слоя или доуплотнение легкими ударами трамбовки по п. 4.9.1.;

устройство песчаной подготовки по п.4.8.1.

Определения термина из разных документов: III вариант

4.11. IV вариант устройства искусственного основания путем двухслойного уплотнения насыпных грунтов тяжелой трамбовкой (Рис. 7) применяется при толщине слоя насыпных грунтов ниже основания подготовки более 3,5 - 4 м, а также в местах с пониженным существующим рельефом местности и в связи с этим необходимостью дополнительной подсыпки грунтов до заданных планировочных отметок.

4.11.1. При качественном составе насыпного грунта, т.е. содержании в нем органических и др. гниющих и сильносжимаемых материалов не более 0,1 по весу и степени влажности S_r < 0,7, двухслойное уплотнение (см. Рис. 7а) включает следующие основные технологические операции:

отрывку-планировку траншеи на глубину не более чем на 2 - 2,5 м ниже основания подготовки, при которой толщина верхнего отсыпаемого слоя не превысит 2,5 - 3 м;

уплотнение насыпного грунта тяжелой трамбовкой в соответствии с II вариантом;

Определения термина из разных документов: IV вариант